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3D 快閃記憶體「BiCS FLASH™」
鎧俠為新一代儲存應用提供快閃型產品。鎧俠在 35 年前發明 NAND 快閃記憶體，現今為全球最大的快閃記憶體供應商之一，並持續推動這項技術的發展。
鎧俠 BiCS FLASH™ 技術以突破性的架構創新領先群倫
BiCS FLASH™ 第 8 代技術 – 為何採用 CBA？
BiCS FLASH™ 技術
產品特色*
每個晶片的儲存密度高於傳統快閃記憶體
更高的讀取/寫入速度效能
可靠性高於 2D (平面) NAND
低耗電
*相較於 2D 平面技術
應用目標
資料中心效率
BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體旨在解決最具挑戰性的資料中心問題：
3D 快閃記憶體運作原理
3D 快閃記憶體運作原理以 CG (電腦產生的) 動畫解釋，與陽光的照耀方式進行比較 (日文搭配有英文字幕)。
鎧俠可擴充的 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術，將記憶體容量提升至目前可達到的最高等級*2
TLC (三層單元) 和 QLC (四層單元) 技術
BiCS FLASH™ 3D flash 記憶體產品系列包括每單元 3 位元 (TLC) 和每單元 4 位元 (QLC) 技術。QLC 技術可將每個記憶體單元的資料位元數從三提升到四，大幅擴充容量。在 16 晶粒堆疊架構中，使用 BiCS FLASH™ QLC 技術，單一封裝可達到 4 TB 的容量。
帶領硬碟邁向更高的記憶體密度和效率
鎧俠是第一個預見 SLC 技術，並準備成功地將 SLC 技術遷移至 MLC、從 MLC 遷移至 TLC，也在現在從 TLC 遷移至 QLC 的產業參與者之一。
鎧俠的 QLC 技術非常適合需要高密度、低成本儲存解決方案的應用。現今的 QLC 在單一封裝中實現最高密度，藉此減少佔用空間。
- 與上一代 BiCS FLASH™ 3D TLC 快閃記憶體相比，功能和典型的使用效能改進。
- 來源：鎧俠 - 2024 年 7 月 3 日新聞稿
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
