UFS 4.0 – 專為新一代行動儲存裝置而設計

UFS 4.0 提供超高速嵌入式儲存傳輸速度，使新一代智慧型手機和行動應用能夠利用 5G 行動網路。UFS 4.0 整合 MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5 和 UniPro2.0，並支援高達每通道 23.2Gbps 或每台裝置 46.4Gbps 的理論介面速度。UFS 4.0 與 UFS 3.1 向下相容，因此現有平台可以使用 UFS 4.0 中使用的最新一代快閃記憶體技術，同時整合所有現有的 UFS 3.1 功能。

UFS 4.0 功能

KIOXIA UFS 4.0

產品特色

  • 序列介面
  • 高速讀取/寫入
  • 低針腳數
  • 128GB、256GB、512GB、1TB
  • 11 x 13mm 153ball BGA 封裝
與前一代相比的 UFS 4.0 效能：+100% 循序讀取和 +95% 循序寫入

效能更快

UFS 4.0 裝置的循序讀取和寫入效能分別比前一代裝置* 提高約 100% 和 95%。採用 WriteBooster 技術可提升循序寫入速度，以加快下載速度、高解析度影片錄製儲存速度，以及行動裝置遊戲速度。

* 鎧俠株式會社前一代 256GB 裝置「THGJFGT1E45BAIP」

UFS 4.0 尺寸比較

小型封裝尺寸

UFS 4.0 支援小型 11x13x0.8mm* 封裝，可在行動應用中節省更多空間，使手機更小更時尚。

* 產品型號: THGJFJT0E25BAIP, THGJFJT1E45BATP, THGJFLT1E45BATP 及THGJFLT2E46BATP

UFS 4.0 與 UFS 3.1/2.1 比較

KIOXIA 提供 UFS 2.1、UFS 3.1 和 UFS 4.0，這是一系列具有整合控制器的高容量快閃記憶體。這些快閃記憶體解決方案提供 ECC 和其他控制功能，已針對每一代快閃記憶體的技術對這些功能進行最佳化。UFS 降低了主處理器的工作負載、簡化產品開發、縮短上市時間，並提高記憶體產品的易用性。

相較於 UFS 3.1/2.1，UFS 4.0 提供：

  • 更快的介面
  • 更高的讀寫效能
UFS 4.0 比 e-MMC 快 10 倍，比 UFS 3.1 快 2 倍
UFS 4.0 比 3.1 快 2 倍

為何選擇 KIOXIA UFS 4.0

KIOXIA UFS 發佈時間表 KIOXIA UFS 發佈時間表

KIOXIA 位居 UFS 市場的前沿，相較於其他嵌入式儲存解決方案，這項新技術具備更快速度和更優異的電源效率。KIOXIA 率先於 2013 年交付 UFS 1.1 樣品。KIOXIA 也在 2019 年 1 月率先交付 UFS 3.0 樣品。KIOXIA 擁有悠久的 NAND 快閃記憶體發明歷史。隨著最新 UFS 4.0 推出，KIOXIA 持續展現其承諾，創造能在不斷變化的數位世界促進發展的技術。

適用於智慧型手機和 VR/AR 的 UFS 4.0

UFS 4.0 提供更好的使用者體驗

相較於舊版標準，UFS 4.0 標準的效能大為提升。智慧型手機、遊戲主機和可攜式擴增實境 (AR) 與虛擬實境 (VR) 裝置將受益於更快的傳輸速度。此外，提升的讀取效能將實現更快的遊戲和應用程式下載速度，進而改善使用者體驗。隨著市場發展更快、更有效率，KIOXIA 始終以 UFS 4.0 標準引領發展，為未來做好準備。 

KIOXIA UFS 主要技術

WriteBooster 功能

WriteBooster 透過將現有使用者資料區域作為臨時 SLC 緩衝區，在不犧牲容量的情況下增強寫入效能。主機可以在裝置組態設定最大 SLC 緩衝區大小，且可以持續將資料寫入緩衝區，直到緩衝區填滿為止。在主機操作期間，根據 5G 和其他應用的系統效能要求動態啟用此功能。

High Speed Link Startup Sequence (HS-LSS) support *1

With conventional UFS, Link Startup (M-PHY and UniPro initialization sequence) between device and host is performed at low-speed PWM-G1 (3~9Mbps*2), but with HS-LSS, it can be performed at faster HS-G1 Rate A (1248Mbps). This is expected to reduce the time for Link Startup by approximately 70% compared to the conventional method.
*1 THGJFLT1E45BATP, THGJFLT2E46BATP and THGJFLT3E86BATU support this function.
*2 PWM-G1 communication speed depends on the product.

先進技術

KIOXIA UFS 利用高效能 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體技術來最佳化效能。

KIOXIA UFS 主要應用

用戶端運算

筆記型電腦 / Ultrabook™ / 平板電腦 / 桌上型電腦 / 電競電腦

行動裝置

智慧型手機 / 智慧型手錶 / 智慧型眼鏡

消費性裝置

遊戲主機 / 智慧型電視 / 虛擬實境耳機 / 機上盒 / 數位錄影機 / 智慧喇叭 / 智慧家庭 / 穿戴式裝置 / 家庭健康 / 家庭網路

工業

自動化 / 數位醫療保健 / 運輸 / 監控 / 機器人 / 無人機 / 保全 / 數位電子看板 / 網路 (5G 區域網路) / PoS (銷售點)

相關連結

KIOXIA UFS：The Ideal Replacement for e-MMC Infographic (PDF : 294KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。 UPDATED
KIOXIA Universal Flash Storage (UFS) Product Brief (PDF : 315KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。 UPDATED
New Use Cases for Universal Flash Storage Tech Brief (PDF : 918KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。 UPDATED
Understanding ECC (Error Correction Code) in NAND Flash Memory Tech Brief (PDF : 448KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。 UPDATED
Understanding Bad Block Management in NAND Flash Memory Tech Brief (PDF : 243KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。 UPDATED
Understanding the WriteBooster Feature Tech Brief (PDF : 487KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。 UPDATED
Understanding TBW versus P/E Cycles in Managed Flash Memory Tech Brief (PDF : 1.5MB) PDF將開啟在新的網頁視窗。 UPDATED
Introducing Replay Protected Memory Block (RPMB) within the e-MMC and UFS Specifications Tech Brief (PDF : 382KB) PDF將開啟在新的網頁視窗。 UPDATED

UFS 4.0 規格

*表格可以水平捲動。

容量 產品型號 UFS
版本		 最大資料
速率
(MB/s)		 電源電壓 運作
溫度
(℃)		 封裝尺寸
(mm)
VCC
(V)		 VCCQ
(V)		 VCCQ2
(V)
128GB THGJFJT0E25BAIP 4.0 4640 2.4 至 2.7 1.14 至 1.26 - (1) -25 至 85 11.0x13.0x0.8
256GB THGJFJT1E45BATP 11.0x13.0x0.8
256GB THGJFLT1E45BATP 11.0x13.0x0.8
512GB THGJFJT2T85BAT0 11.0x13.0x0.95
512GB THGJFLT2E46BATP 11.0x13.0x0.8
1TB THGJFLT3E86BATU 11.0x13.0x1.0
  1. 本產品支援 VCC 和 VCCQ 的雙電源供電。無需提供 VCCQ2。

UFS 3.1/2.1

鎧俠的 UFS 3.1/2.1 帶來了高速讀取/寫入效能、低功耗，並縮短了各種數位消費產品所需的應用程式啟動時間。

UFS 3.1/2.1

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相關連結

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What is NAND Flash Memory? 將開啟新的網頁視窗。

KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.

What is Multi-level Cell Technology Realizing Larger Capacity Flash Memory? 將開啟新的網頁視窗。

“Multi-level cell technology” is one of the main technologies realizing larger capacity flash memory. The 1 Gbit MLC NAND flash memory launched by KIOXIA in 2001 was the first application in the world of multi-level cell technology to a NAND flash memory product.