鎧俠開發出氧化物半導體通道電晶體 DRAM (OCTRAM)

全球記憶體解決方案領導廠商鎧俠株式會社，今日宣佈已開發出氧化物半導體通道電晶體 DRAM (OCTRAM)，其為一種由氧化物半導體電晶體組成的新型 4F2 DRAM，同時具有高 ON 電流和超低 OFF 電流。憑藉 InGaZnO⁽¹⁾ 電晶體的超低洩漏特性，OCTRAM 預計將能實現低耗電的 DRAM。這項技術於 2024 年 12 月 9 日在加州舊金山舉行的 IEEE 國際電子元件會議 (IEDM) 首次亮相，為南亞科技與鎧俠株式會社共同開發的成果。這項技術具備降低各種應用的耗電量的潛能，包括 AI 和後 5G 通訊系統及 IoT 產品。

OCTRAM 利用圓柱形 InGaZnO 垂直電晶體 (圖 1) 作為單元電晶體。這種設計可以適應 4F² DRAM，相較於傳統的矽基 6F² DRAM，在記憶體密度方面提供了顯著的優勢。

InGaZnO 垂直電晶體透過元件和製程最佳化，達到超過 15μA/單元 (每單元 1.5 x 10^-5 A) 的高 ON 電流，以及低於 1aA/單元 (每單元 1.0 x 10^-18 A) 的超低 OFF 電流(圖 2)。在 OCTRAM 結構中，InGaZnO 垂直電晶體整合於高深寬比的電容器 (電容器優先製程) 之上。這樣的配置允許先進電容器製程與 InGaZnO 效能之間的交互作用解耦 (圖 3)。