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車用 3.1 / 2.1 及 e-MMC
車用 UFS 3.1 / 2.1 及 e-MMC 的要求
- 符合 IATF16949 標準
- 符合車載零件標準 (AEC-Q100 環境壓力測試認證標準等)
- 支援 PPAP (生產零件核准流程)
- 支援廣泛的溫度環境 (-40°C 至 +105°C 等)
- 低故障率
- 相較於非自動級零件，PCN 的前置作業時間較長
- 車用所需功能 (焊點可靠性的提高、超過晶片設定溫度時的措施等)
汽車 UFS(1) 3.1 / 2.1
可用容量：32GB、64GB、128GB、256GB 與 512GB。
車用 e-MMC(2)
汽車專用新一代 UFS 4.0
KIOXIA UFS 4.0 車用裝置提供增強的功能，以支援日益複雜的汽車應用。全新 UFS 4.0 車用裝置介面速度高達 46.4Gbps，具有一系列密度選項，非常適合支援新一代複雜的汽車應用。
從 e-MMC (平行) 到 UFS (序列) 的轉換介面
UFS 是由 JEDEC 專門定義為 e-MMC 的高效能記憶體替代品。它已成為智慧型手機的主要解決方案，並延續到車用和其他應用中。UFS 最終將超越 e-MMC，成為汽車應用的主要儲存解決方案。
UFS 市場趨勢
UFS 是比 e-MMC 效能更快的 JEDEC 標準替代品。智慧型手機因其效能優勢而採用 UFS。汽車也同樣採用 UFS。
為什麼選擇 UFS?
簡單地說– UFS 是 e-MMC 的後繼者。UFS 效能將繼續提升，顯著擴大對 e-MMC 的效能優勢。
UFS 相對 e-MMC 的優勢：
- 更快的介面
- 更高的讀寫性能
- 更高密度的產品
- 更好的電源效率
開機時間比較 (64MB 資料輸出)
要以大量開機資料取得更快的開機時間，是汽車應用中使用 UFS 的一大動機。
UFS 的高速連續讀取速度比其他儲存裝置的開機時間更快。
其他汽車 UFS 功能非常適合車用可靠性
- 溫度控制：如果裝置超過 105°C，裝置會降低效能並通知主機處理器採取行動
- 高階自我診斷機制：UFS 控制器會監控各種項目，例如寫入/擦除週期、目前溫度等，並將裝置狀態報告主機處理器
- 重新整理：可重新整理惡化的資料，提高資料可靠性。
KIOXIA 自 2013 年以來一直引領著 UFS 的發展，率先提供該技術的產品樣品*，
並將持續開拓汽車應用的未來。
* 截至 2013 年 2 月 8 日。鎧俠問卷調查。
車用 UFS 3.1 / 2.1 規格
AEC-Q100 Grade 2(3)
*表格可以水平捲動。
| 容量 | 產品型號 | UFS 版本 |
最大資料速率 (MB/s) |
電源電壓 | 運作 溫度 (℃) (4) |
封裝尺寸 (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 32GB | THGAFBG8T13BAB7(6) | 2.1 | 1160 | 2.7 至 3.6 | - (7) | 1.70 至 1.95 | -40 至 105 | 11.5x13.0x1.0 |
| THGAFEG8T13BAB7 | ||||||||
| 64GB | THGAFBG9T23BAB8(6) | 11.5x13.0x1.2 | ||||||
| THGAFEG9T23BAB8 | ||||||||
| 128GB | THGAFBT0T43BAB8(6) | |||||||
| THGAFET0T43BAB8 | ||||||||
| 256GB | THGAFBT1T83BAB5(6) | 11.5x13.0x1.3 | ||||||
| THGAFET1T83BAB5 | ||||||||
| 64GB | THGJFGG9T15BAB8 | 3.1 | 2320 | 2.4 至 2.7、 2.7 至 3.6 |
1.14 至 1.26 | - (8) | -40 至 105 | 11.5x13.0x1.2 |
| 128GB | THGJFGT0T25BAB8 | |||||||
| 256GB | THGJFGT1T45BAB8 | |||||||
| 512GB | THGJFGT2T85BAB5 | 11.5x13.0x1.3 | ||||||
AEC-Q100 Grade 3
*表格可以水平捲動。
| 容量 | 產品型號 | UFS 版本 |
最大資料速率 (MB/s) |
電源電壓 | 運作 溫度 (℃) (5) |
封裝尺寸 (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 64GB | THGJFGG9T15BAA8 | 3.1 | 2320 | 2.4 至 2.7、 2.7 至 3.6 |
1.14 至 1.26 | - (8) | -40 至 85 | 11.5x13.0x1.2 |
| 128GB | THGJFGT0T25BAA8 | |||||||
| 256GB | THGJFGT1T45BAA8 | |||||||
| 512GB | THGJFGT2T85BAA5 | 11.5x13.0x1.3 | ||||||
車用 e-MMC 規格
AEC-Q100 Grade 2
*表格可以水平捲動。
| 容量 | 產品型號 | e-MMC 版本 |
最大資料速率 (MB/s) |
電源電壓 | 運作 溫度 (℃) (4) |
封裝尺寸 (mm) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
||||||
| 8GB | THGBMJG6C1LBAC7 | 5.1 | 400 | 2.7 至 3.6 | 1.70 至 1.95、 2.7 至 3.6 |
-40 至 105 | 11.5x13.0x1.0 |
| 16GB | THGBMJG7C2LBAC8 | 11.5x13.0x1.2 | |||||
| 32GB | THGBMJG8C4LBAC8 | ||||||
| 64GB | THGBMJG9C8LBAC8 | ||||||
| 32GB | THGAMVG8T13BAB7 | 1.70 至 1.95 | 11.5x13.0x1.0 | ||||
| 64GB | THGAMVG9T23BAB8 | 11.5x13.0x1.2 | |||||
| 128GB | THGAMVT0T43BAB8 | ||||||
| 256GB | THGAMVT1T83BAB5 | 11.5x13.0x1.3 | |||||
AEC-Q100 Grade 3
*表格可以水平捲動。
| 容量 | 產品型號 | e-MMC 版本 |
最大資料速率 (MB/s) |
電源電壓 | 運作 溫度 (℃) |
封裝尺寸 (mm) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
||||||
| 32GB | THGAMVG8T13BAA7 | 5.1 | 400 | 2.7 至 3.6 | 1.70 至 1.95 | -40 至 85 | 11.5x13.0x1.0 |
| 64GB | THGAMVG9T23BAA8 | 11.5x13.0x1.2 | |||||
| 128GB | THGAMVT0T43BAA8 | ||||||
| 256GB | THGAMVT1T83BAA5 | 11.5x13.0x1.3 | |||||
- UFS (Universal Flash Storage) 是根據 JEDEC UFS 標準規範構建的一類嵌入式記憶體產品的產品類別。
- e-MMC 是根據 JEDEC e-MMC 標準規範構建的一類嵌入式記憶體產品的產品類別。
- AEC (汽車電子委員會) 定義的電氣元件資格要求。
- Tc= 最高 115℃。
- Tc= 最高 95℃。
- 最大預載容量限制在使用者區域容量的 25% 左右。
- 本產品支援 VCC和 VCCQ2 的雙電源供電。無需提供 VCCQ。
- 本產品支援 VCC和 VCCQ 的雙電源供電。無需提供 VCCQ2。
- 在提及起任何鎧俠產品的地方：產品密度是基於產品記憶體晶片的密度來定義的，而不是最終用戶可使用的記憶體容量。由於額外的數據區域、格式化、壞塊和其他限制，消費者可用的容量會較少，並且可能還會因主機設備和應用程序而有所變化。詳細信息請參閱相關的產品規格。1KB 的定義為 2^10 字節 =1,024 位元組。1Gb 的定義為 2^30 位元 =1,073,741,824 位元。1GB 的定義為 2^30 位元組 =1,073,741,824 位元組。1Tb=2^40 位元 =1,099,511,627,776 位元。
支援
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
